EPROM과 EEPROM의 차이점
EPROM과 EEPROM EEPROM과 EPROM은 1970 년대에 개발 된 두 가지 유형의 메모리 저장 요소입니다. 이 메모리는 비 휘발성이며 재기록 가능한 메모리 유형이며 일반적으로 하드웨어 프로그래밍에 사용됩니다.
EPROM이란 무엇입니까?
EPROM은
지울 수있는 프로그램 가능한 읽기 전용 메모리 (Programmable Read Only Memory) 의 약자로, 프로그램 할 수 있고 지울 수있는 비 휘발성 메모리 장치의 범주입니다. EPROM은 1971 년 Intel의 Dov Frohman에 의해 트랜지스터의 게이트 연결이 끊어진 결함이있는 집적 회로에 대한 조사를 기반으로 개발되었습니다. EPROM 메모리 셀은 플로팅 게이트 전계 효과 트랜지스터의 대규모 집합체이다. 데이터 (각 비트)는 내부 소스 드레인 컨택을 생성하는 프로그래머를 사용하여 칩 내부의 개별 필드 효과 트랜지스터에 기록됩니다. 셀 어드레스에 기초하여, 특정 FET 저장 데이터 및 정상 디지털 회로 동작 전압보다 훨씬 높은 전압이이 동작에서 사용된다. 전압이 제거되면 전자가 전극에 트랩됩니다. 전도도가 매우 낮기 때문에 게이트 사이의 이산화 규소 (SiO2999) 절연 층이 장시간 동안 전하를 보존합니다. 그러므로 10 년에서 20 년 동안 기억을 유지한다.
수은 증기 램프와 같은 강한 자외선에 노출되면 EPROM 칩이 지워진다. 소거는 300nm보다 짧은 파장의 UV 광을 사용하고 근접 범위 (<3cm)에서 20 ~ 30 분 동안 노출시킬 수 있습니다. 이를 위해 EPROM 패키지는 실리콘 칩을 빛에 노출시키는 융합 된 석영 창으로 제작되었습니다. 따라서 EPROM은이 특성 융합 된 석영 창에서 쉽게 식별 할 수 있습니다. 지우기는 X- 레이를 사용하여 수행 할 수도 있습니다.Electronic Erasable Programmable Read Only Memory (999)를 나타냅니다. EEPROM은 이전에 개발 된 EPROM 기술을 기반으로 1978 년 Intel에서 George Perlogos가 개발했습니다. Intel 2816은 상업적으로 출시 된 최초의 EEPROM 칩입니다. EEPROM은 또한 EPROM과 같은 플로팅 게이트 MOSFET의 대형 어레이이지만 EPROM과 달리 게이트 사이에는 절연 층이 얇다. 따라서 게이트의 전하는 전자적으로 변경 될 수 있습니다. EEPROM은 전자 프로그래밍 및 삭제가 가능합니다.회로에서 제거하지 않고 프로그래밍, 삭제 및 재 프로그램 할 수 있습니다. 그러나 회로는 특수 프로그래밍 신호의 전송을 수용하도록 설계되어야합니다. 데이터 통신 모드에 기초하여, EEPROM은 직렬 및 병렬 인터페이스 유형으로 분류된다. 일반적으로 병렬 버스 칩에는 8 비트 폭의 데이터 버스가있어 더 넓은 메모리 사용이 가능합니다. 반대로 직렬 인터페이스 유형은 핀 수가 적습니다. 따라서 작업은 순차적으로 수행되어야합니다. 따라서 병렬 EEPROM은 직렬 인터페이스 유형 EEPROM에 비해 더 빠르고 더 많이 사용됩니다. EEPROM 칩은 소량의 데이터를 저장하기 위해 컴퓨터 및 다른 전자 장치에 널리 사용되며, 전력이 제거 될 때 저장되어야하며 재시작 중에 검색되어야한다. 구성 세부 사항 및 보정 표와 같은 정보는 EEPROM에 저장되었습니다. EEPROM은 BIOS 칩으로도 사용되었습니다. 이제 EEPROM의 변형 인 FLASH ROM은 용량, 저비용 및 내구성으로 인해 시장을 장악했습니다.
EEPROM과 EPROM의 차이점은 무엇입니까?• EPROM은 자외선에 노출되면 지워 져야하며 EEPROM은 전자적으로 지울 수 있습니다.
• EPROM에는 패키지에 Quartz window가있어 UV 빛에 칩을 노출시키고 EEPROM은 불투명 한 플라스틱 케이스에 완전히 넣습니다.
• EPROM은 오래된 기술입니다.
